Spécifications techniques
Détails techniques
Température d'opération
0 - 70 °C
Choc durant le fonctionnement
1,5 G
Poids et dimensions
Puissance
Consommation électrique (Lecture)
2,2 W
Consommation électrique (Ecriture)
2,2 W
Consommation d'énergie (moyenne)
2 W
Conditions environnementales
Humidité relative de fonctionnement (H-H)
5 - 95%
Température hors fonctionnement
-45 - 85 °C
Température d'opération
0 - 70 °C
Taux d'humidité relative (stockage)
5 - 95%
Choc durant le fonctionnement
1,5 G
Choc hors fonctionnement
1500 G
Informations sur l'emballage
Autres caractéristiques
Date de lancement
12/21/2017
Design
composant pour
PC/ordinateur portable
représentation / réalisation
Lecteur, dimension buffer
512 Mo
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Temps moyen entre pannes
2000000 h
Taux de transfert des données
6 Gbit/s
Vitesse de lecture
560 Mo/s
Vitesse d'écriture
530 Mo/s
Type de contrôleur
Samsung MJX
Interface du Solid State Drive (SSD)
Série ATA III
Capacité du Solid State Drive (SSD)
2000 Go
Type Flash NAND
MLC (Multi Level Cell)
Collecte des déchets active
Oui
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Oui
Taille du tampon du lecteur de stockage
512 Mo
Caractéristiques
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Temps moyen entre pannes
2000000 h
Taux de transfert des données
6 Gbit/s
Vitesse de lecture
560 Mo/s
Vitesse d'écriture
530 Mo/s
Type de contrôleur
Samsung MJX
Capacité du Solid State Drive (SSD)
2000 Go
composant pour
PC/ordinateur portable
Code du système harmonisé
84717070
Type Flash NAND
MLC (Multi Level Cell)
Taille du tampon du lecteur de stockage
512 Mo
Données logistiques
Code du système harmonisé
84717070